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Ni控制掺杂InVO4薄膜的制备及其可见光催化活性 | |
李新军; 樊俊林; 郑少健; 王建华 | |
2006 | |
Source Publication | 中国有色金属学报
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Volume | 16Issue:12Pages:2104-2108 |
Cooperation Status | 其它 |
Indexed By | 其他 |
Language | 中文 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/277 |
Collection | 中国科学院广州能源研究所 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李新军,樊俊林,郑少健,等. Ni控制掺杂InVO4薄膜的制备及其可见光催化活性[J]. 中国有色金属学报,2006,16(12):2104-2108. |
APA | 李新军,樊俊林,郑少健,&王建华.(2006).Ni控制掺杂InVO4薄膜的制备及其可见光催化活性.中国有色金属学报,16(12),2104-2108. |
MLA | 李新军,et al."Ni控制掺杂InVO4薄膜的制备及其可见光催化活性".中国有色金属学报 16.12(2006):2104-2108. |
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Ni控制掺杂InVO4薄膜的制备及其可见(320KB) | 开放获取 | License | View Download |
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