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| RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究 | |
| 艾斌; 沈辉; 班群; 王晓晶; 梁宗存; 廖显伯 | |
| 2002-10-23 | |
| Source Publication | 中国第七届光伏会议论文集 ; 中国第七届光伏会议论文集 ; 中国第七届光伏会议 ; 中国第七届光伏会议 |
| Source Publication | 中国第七届光伏会议论文集 ; 中国第七届光伏会议论文集 ; 中国第七届光伏会议 ; 中国第七届光伏会议 |
| Conference Date | 2002-10-23 |
| Conference Place | 杭州 |
| Publication Place | 杭州 |
| Funding Organization | 中国太阳能学会 |
| Other Abstract | 使用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜.分别利用XRD SEM、高阻Hall测量和光电导谱测量了它们的结构和电学性能.结果表明,1150℃在石英衬底上生长的征多晶硅薄膜具有[111]择优生长取向,而轻掺硼的多晶硅薄膜则同时具有[311]和[200]两个晶向上的掺优取向.通过轻微掺入硼,多晶硅薄膜晶粒尺寸分布的均匀性得到了很大提高.高阻Hall测量表明轻掺硼的多晶硅薄膜具有更高的Hall迁移率既而具有更好的电学性能.由光电导谱测得的多晶硅薄膜的光学带隙与晶体硅的非常接近,在1.1eV左右. |
| Keyword | 化学气相沉积 多晶硅薄膜 电学性能 薄膜太阳能电池 薄膜结构 |
| Language | 中文 |
| Document Type | 会议论文 |
| Identifier | http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7942 |
| Collection | 中国科学院广州能源研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 艾斌,沈辉,班群,等. RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究[C]. 杭州,2002. |
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| RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构（328KB） | 开放获取 | -- | View Application Full Text | |||
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