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一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法; 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法 | |
一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法; 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法 | |
徐刚; 甄恩明; 徐雪青; 苗蕾 | |
2010-05-26 | |
Date Available | 2010-04-07 ; 2011-07-13 |
Country | 中国 |
Patentee | 中国科学院广州能源研究所 |
Subtype | 发明 ; 发明 ; 公开 ; 公开 ; 发明 ; 公开 |
Subtype | 发明 ; 发明 ; 公开 ; 公开 ; 发明 ; 公开 |
Other Abstract | 本发明提供了一种设备及工艺简单的制备c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法。具体步骤包括:(1)以二乙酰丙酮氧钒为原料,配制成溶胶;(2)以此溶胶为涂覆液,在清洗干净的衬底材料上,采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜;(3)在含氧气氛中进行热处理。本发明具有工艺简单,可大面积制备,制备成本低廉等优点。所制备的五氧化二钒薄膜沿c轴方向生长,取向单一,有利于离子的嵌入与脱嵌,可改善锂离子电池阴极及电致变色器件的性能。 |
Subtype | 发明 ; 发明 ; 公开 ; 公开 ; 发明 ; 公开 |
Application Date | 2009-09-08 |
Language | 中文 |
Application Number | 200910192094.6 |
Patent Agent | 莫瑶江:广州华进联合专利商标代理有限公司 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/5440 |
Collection | 中国科学院广州能源研究所 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 徐刚,甄恩明,徐雪青,等. 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法, 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法[P]. 2010-05-26. |
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