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| 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法; 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法 | |
| 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法; 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法 | |
| 沈辉; 卢志坚; 徐雪青 | |
| 2004-03-17 | |
| Date Available | 2001-10-10 ; 2011-07-13 |
| Country | 中国 |
| Patentee | 中国科学院广州能源研究所 |
| Subtype | 发明 ; 发明 ; 公开 ; 公开 ; 发明 ; 公开 |
| Subtype | 发明 ; 发明 ; 公开 ; 公开 ; 发明 ; 公开 |
| Other Abstract | 本发明涉及薄膜制备方法，特别是一种真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法。其特征在于包括以下步骤：清洗基片；将三氧化钨粉末或粉末压片放入电子束蒸发器真空室的坩埚中，将铂丝放在电阻式加热源上，并将清洁的基片固定在样品架上；用电子束加热使三氧化钨升华并沉积在基片上。真空镀膜机真空室压力为10－2－10－3Pa，真空室温度约200－300℃，电子束流0.1－0.2mA；通过电阻加热蒸镀一层铂催化层。真空室压力5－6.5×10－3Pa，真空室温度为 |
| Subtype | 发明 ; 发明 ; 公开 ; 公开 ; 发明 ; 公开 |
| Application Date | 2001-01-19 |
| Language | 中文 |
| Application Number | 01107472.8 |
| Patent Agent | 刘媖:广东专利事务所 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/5042 |
| Collection | 中国科学院广州能源研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 沈辉,卢志坚,徐雪青. 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法, 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法[P]. 2004-03-17. |
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