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| Zr/TiO2与Ni/InVO4的控制掺杂及光催化活性 | |
| 樊俊林 | |
| Thesis Advisor | 李新军 |
| 2006-06-07 | |
| Degree Grantor | 中国科学院广州能源研究所 |
| Place of Conferral | 广州能源研究所 |
| Degree Name | 硕士 |
| Keyword | 光催化 Tio2 Invo4 Ni Zr 可见光 控制掺杂 |
| Abstract | 光催化具有能耗低、操作简单、无二次污染等突出特点，在污染物处理、有机合成、催化制氢等能源环境领域具有潜在的发展前景。但是光催化活性和转化效率普遍较低仍是光催化应用最大的瓶颈之一。本文通过对TiO2的Zr离子控制掺杂，来探讨提高光催化剂活性的途径，并运用到可见光催化剂InVO4的控制掺杂改性上，最后分析了控制掺杂提高光催化剂活性的机理。 本文采用溶胶-凝胶法，利用控制掺杂工艺，制备了Zr非均匀分布TiO2薄膜催化剂、Ni非均匀分布InVO4薄膜催化剂，并合成了Ni-InVO4复合粉末催化剂。通过XRD、DTA-TGA、比表面积测试仪、电化学工作站对催化剂的结构进行表征，利用UV-Vis分光光度计研究光催化剂的光学性能，利用有机物(甲基橙、亚甲基蓝)的降解率来表征光催化剂的催化活性。 结果表明： 1) Zr掺杂使TiO2的光吸收带边红移，底层控制掺杂有效地提高了TiO2薄膜的光催化性能，最佳掺杂浓度为0.05at%，均匀掺杂反而降低了TiO2 的催化性能； 2) Ni掺杂使InVO4的光吸收带边红移，底层控制掺杂有效提高InVO4的可见光催化性能，均匀掺杂降低了InVO4的活性。 4) 通过光电流谱、开路电压谱，表征了催化剂薄膜的结构特点，从光生载流子分离的角度，分析了控制掺杂提高光催化剂活性的机理。 |
| Pages | 76 |
| Language | 中文 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/3989 |
| Collection | 中国科学院广州能源研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 樊俊林. Zr/TiO2与Ni/InVO4的控制掺杂及光催化活性[D]. 广州能源研究所. 中国科学院广州能源研究所,2006. |
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| 200328014904300樊俊林_n（3779KB） | 开放获取 | -- | View Download | |||
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