磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究

GIEC OpenIR > 中国科学院广州能源研究所

	磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究
其他题名	Thermoelectric Property of Si1-xGex/B Multilayer Thin Film Prepared by Magnetron Sputtering
	杜鑫 1,2; 苗蕾1,3 ; 刘呈燕 1,3; 王潇漾 1,3
	2016
发表期刊	新能源进展
期号	5 页码:345-350
合作性质	国内
摘要	Unique structure （SiGe/B） based multilayer film prepared by magnetron sputtering was designed with purposes of improving electrical conductivity and Seebeck coefficient, and reducing thermal conductivity. The multilayer film contains 5 periods and each of
文章类型	期刊
其他摘要	本文通过磁控溅射法制备了一种独特的Si Ge/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能,结果表明：B掺杂的溅射时间最佳为30 s;当退火温度为650℃时,薄膜的致密性最好,且在此温度下具有较高的Seebeck系数,最大值为6.75×10^-4 V/K,电阻率最小值为1.6×10^-5Ω·m,其功率因子最大值为0.026 W/（m·K^2）。
关键词	热电材料硅锗薄膜纳米结构热电性能
语种	中文
项目资助者	国家自然科学基金项目（51572049,51562005）;广东省科技计划项目（2013B050800006）;中国科学院BIC对外合作项目（182344KYSB20130006）
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/16076
专题	中国科学院广州能源研究所
作者单位	1.中国科学院广州能源研究所,中国科学院可再生能源重点实验室,广州 510640 2.中国科学院大学,北京100049 3.桂林电子科技大学,广西桂林541004
第一作者单位	中国科学院广州能源研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杜鑫,苗蕾,刘呈燕,等. 磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究[J]. 新能源进展,2016(5):345-350.
APA	杜鑫,苗蕾,刘呈燕,&王潇漾.(2016).磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究.新能源进展(5),345-350.
MLA	杜鑫,et al."磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究".新能源进展 .5(2016):345-350.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
磁控溅射法制备Si1-xGex-B多层薄（900KB）	期刊论文	作者接受稿	开放获取	CC BY-NC-SA	浏览请求全文